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一、简介
导电薄膜四探针电阻率测试仪BEST-300C是运用四探针原理测量方块电阻的专用仪器,电阻率和电导率同时显示。仪器 测试范围0-10MΩ,小分辨率0.1uΩ,电阻小精度0.01%,精度2%。可用于测试半导体、⾦属涂层导电薄膜等材料的电阻和电阻率。 导电薄膜四探针电阻率测试仪BEST-300C配置各类测量装置可以测试不同材料之电导率。液晶显示,无人工计算,并带有温度补偿功能,电导率单位自动选择,BEST-300C 材料电导率测试仪自动测量并根据测试结果自动转换量程,无人工多次和重复设置。选配:配备软件可以由电脑操控,并保存和打印数据,自动生成图表和报表。
四端测试法是目前较之测试方法,主要针对高精度要求之产品测试;本仪器用于生产企业、高等院校、科研部门,是检验和分析导体材料和半导体材料质量的一种重要的工具。
自动双极板材料四探针低阻测试仪采用4.3吋大液晶屏幕显示,同时显示电阻值、电阻率、方阻、电导率值、温度、单位自动换算,配置不同的测试治具可以满足不同材料的测试要求。测试治具可以根据产品及测试项目要求选购.提供中文或英文两种语言操作界面选择,满足国内及国外客户需求。
二、特点
●测试探头直排和矩形可选;
●标配RS232、LAN、IO、通讯接⼝;
●可配戴软件查看和记录测试数据;●电阻⾼精度:0.01%,小分辨率0.1uΩ;
●方电阻精度:1%,小分辨率:0.1uΩ;
●双电测原理,提⾼精度和稳定性;
三、适用范围
● 四探针治具测试片状或块状半导体材料、金属涂层以及导电薄膜等材料的电阻和电阻率
● 开尔文测试夹直接测试电阻器直流电阻;
四、参数
1. 便于查看的显示/直观的操作性:高亮度、超清晰4.3寸彩色LCD显示;操作易学,直观使用;
2. 基本设置操作简单,方阻、电阻、电阻率、电导率和分选结果;多种参数同时显示。
3. 精度高:电阻基本准确度: 0.01%;
方阻基本准确度:1%;
电阻率基本准确度:1%
4. 整机测量大相对误差:≤±1%;整机测量标准不确定度:≤±1%
5. 正反向电流源修正测量电阻误差
6. 恒流源:电流量程为:DC100mA-1A;仪器配有恒流源开关可有效保护被测件,即先让探针头压触在被测材料上,后开恒流源开关,避免接触瞬间打火。为了提高工作效率,如探针带电压触单晶对材料及测量并无影响时,恒流源开关可一直处于开的状态。
7. 可配合多种探头进行测试;也可配合多种测试台进行测试。
8. 厚度可预设,自动修正样品的电阻率,无查表即可计算出电阻率。
9. 自动进行电流换向,并进行正反向电流下的电阻率(或方块电阻)测量,显示平均值.测薄片时,可自动进行厚度修正。
10. 双电测测试模式,测量精度高、稳定性好.
11. 具备温度补偿功能,修正被测材料温漂带来的测试结果偏差。
12. 比较器判断灯直接显示,勿需查看屏幕,作业效率得以提高。3档分选功能:超上限,合格,超下限,可对被测件进行HI/LOW判断,可直接在LCD使用标志显示;也可通过USB接口、RS232接口输出更为详细的分选结果。
13. 测试模式:可连接电脑测试、也可不连接电脑单机测试。
14. 软件功能(选配):软件可记录、保存、各点的测试数据;可供用户对数据进行各种数据分析。
粉末电阻率测试方法
粉末电阻率的测试通常采用四探针法。这种方法利用四根等间距的探针插入粉末样品中,通过测量探针间的电压和电流来计算样品的电阻率。四探针法具有测量准确、操作简便等优点,是粉末电阻率测试的方法。
说明
①电阻率ρ不仅和导体的材料有关,还和导体的温度有关。在温度变化不大的范围内,几乎所有金属的电阻率随温度作线性变化,即ρ=ρo(1+at)。式中t是摄氏温度,ρo是O℃时的电阻率,a是电阻率温度系数。
②由于电阻率随温度改变而改变,所以对于某些电器的电阻,必须说明它们所处的物理状态。如一个220V
100W电灯灯丝的电阻,通电时是484欧姆,未通电时只有40欧姆左右。
③电阻率和电阻是两个不同的概念。电阻率是反映物质对电流阻碍作用的属性,电阻是反映物体对电流阻碍作用的属性。
四探针法作为一种高精度的电阻测量技术,在多个领域具有广泛的应用,主要包括以下方面:
1. 半导体材料研究
用于测量硅、锗、砷化镓等半导体材料的电阻率、载流子浓度及掺杂类型,直接关联杂质含量分析。
在晶圆制造中检测电阻率均匀性,确保外延片、离子注入片等工艺质量。
通过温度依赖性研究,分析半导体材料的电学性能变化。
2. 薄膜材料分析
适用于金属膜、氧化物薄膜(如氧化铝、氮化硅)及半导体薄膜的电阻率测量,评估其导电性能。
在光伏领域检测太阳能电池薄膜的方阻分布,优化材料制备工艺。
对微纳米金属烧结体(如银、铜)的电阻率进行高精度测量,避免接触电阻干扰。
3. 纳米材料与石墨烯表征
测量石墨烯的薄层电阻和载流子迁移率,分析晶界、褶皱对电导率的影响。
微四探针技术(M4PP)可实现晶圆级石墨烯电导性能的高分辨率评估,误差低于0.1%。
4. 导电材料检测
用于合金、陶瓷等导电材料的电阻率测试,支持大尺寸样品直接测量。
在微电子器件制备中快速检测器件的电学性能。
5. 工业与科研应用
通过电阻率mapping技术,分析材料表面电学性能的空间分布。
结合范德堡法,适用于任意形状样品的电阻率测量,扩展应用场景。
四探针法的核心优势在于其非破坏性、高精度及对样品形状的适应性,使其成为半导体、纳米材料及工业检测中的标准技术。
什么是表面电阻率?
表面电阻:在试样的某一表面上两电极间所加电压与经过一定时间后流过两电极间的电流之商;访伸展流主要为流过试样表层的电流,也包括一部分流过试样体积的电流成分.在两电极间可能形成的极化忽略不计.
表面电阻率:在绝缘材料的表面层的直流电场强度与线电流密度之商,即单位面积内的表面电阻.
四探针法对比其他方法的精度差异
vs两探针法:四探针法因消除导线电阻和接触电阻影响,精度提升约1个数量级,尤其适用于高阻薄膜(如石墨烯)。
vs万用表法:万用表受限于电流源稳定性,低阻测量时易饱和,而四探针法通过恒流源(如100mA档)可稳定测量低至10 Ω·cm的电阻率。
四探针法与两探针法在原理、精度和应用场景上的比较
原理差异:两探针法仅通过两个电极施加电流并测量电压,而四探针法采用四个独立电极(两电流两电压),消除了接触电阻和引线电阻的影响。
精度对比:两探针法受接触电阻和样品形状影响较大,误差较高;四探针法通过分离电流和电压测量通道,精度显著提升,尤其适用于薄膜、纳米材料等微尺度样品。
适用场景:两探针法适合块体材料的粗略测量,四探针法则广泛应用于半导体、光伏材料等高精度需求领域。
模块化配置与兼容性
测试模式可选:支持四探针法(符合GBT 30835-2014锂电材料标准)和四端子法(符合GB/T 24521-2009)。
模具灵活选配:标配模具内径通常为16–30 mm,可定制特殊规格(如163 mm大尺寸模具)。
扩展接口丰富:配备USB/232通讯接口,连接计算机、打印机等外部设备。
新能源电池材料
正负极材料优化:用于锂电池正极材料(如磷酸铁锂、三元材料)和负极材料(如石墨、硅碳复合)的导电性能评估,通过电阻率与压实密度关联分析提升电池能量密度和循环寿命。
固态电解质研发:测量硫化物/氧化物固态电解质的离子电导率(通过电阻率换算),研究压力对离子传导通道的影响。
生产质控:监控极片涂布和辊压工艺后的电阻一致性,确保电池电芯性能稳定。
高温塑料薄膜电阻率测定仪
首先和提到仪器的工作温度范围通常是0-40℃,但用户要的是高温测定仪。仪器标注了"高低温"测试能力,虽然具体温度值没写,但既然能叫高低温测试仪,应该能满足基本高温需求。
技术参数方面,这些仪器共性很强:电阻测量范围都在10^4到10^18欧姆(见),测试电压标配多档位(10V-1000V可调),精度普遍在1%-5%之间。特别注意到的BEST-212型用了触摸屏,操作可能更便捷。
用户可能需要关注测量标准。和都强调符合GB/T 1410-2006和ASTM D257标准,这对出具报告很重要。
在电流测量中,由于被保护端和保护端之间的电阻与电流测量装置并联可能产生误差,因此前者至少应为电流测量装置输入电阻的10倍,好为100倍.在电桥法测量中,保护端与测量端带有大致相同的电位,但电桥中的一个标准电阻与不保护端和保护端之间的电阻并联,因此,后者至少为标准电阻的10倍,好20倍.
在开始测试前先断开电源和试样的连线进行一次测量,此时设备应在它的灵敏度许可范围内指示无穷大的电阻.可用一些已知值的标准电阻业检查设备运行是否良好.
体积电阻率为了测业体积电阻率,使用的保护系统应能抵消由表面电流引起的误差.对表面泄漏可忽略的试样,在测量体积电阻时可以去掉保护.
电导率和电阻率之间联系和关系?
电阻率:是用来表示各种物质电阻特性的物理量。某种材料制成的长1米、横截面积是1平方毫米的导线的电阻,叫做这种材料的电阻率。国际单位制中,电阻率的单位是欧姆·米,常用单位是欧姆·平方毫米/米。
电导率:水的导电性即水的电阻的倒数,通常用它来表示水的纯净度。
电导率是物体传导电流的能力。电导率测量仪的测量原理是将两块平行的极板,放到被测溶液中,在极板的两端加上一定的电势(通常为正弦波电压),然后测量极板间流过的电流。根据欧姆定律,电导率(G)--电阻(R)的倒数,是由电压和电流决定的。
电导率的基本单位是西门子(S),原来被称为姆欧,取电阻单位欧姆倒数之意。因为电导池的几何形状影响电导率值,标准的测量中用单位电导率S/cm来表示,以补偿各种电极尺寸造成的差别。单位电导率(C)简单的说是所测电导率(G)与电导池常数(L/A)的乘积.这里的L为两块极板之间的液柱长度,A为极板的面积。
=ρl=l/σ
(1)定义或解释 电阻率的倒数为电导率。σ=1/ρ (2)单位: 在国际单位制中,电导率的单位是西门子/米。 (3)说明 电导率的物理意义是表示物质导电的性能。电导率越大则导电性能越强,反之越小。
参数
1. 精度高:电阻基本准确度: 0.01%;
2. 方阻基本准确度:1%;
3. 电阻率基本准确度:1%
4. 整机测量相对误差:≤±1%;整机测量标准不确定度:≤±1%
5. 四位半显示读数;十量程自动或手动测试;20mΩ/200mΩ/2000mΩ/20Ω/200Ω/2000Ω/20kΩ/200kΩ/2000ΚΩ/10ΜΩ 10档分选;实现HIGH/IN/LOW分选
6. 测量范围宽: 电阻:10-7Ω~10+8Ω ;方阻:10-7Ω/□~10+8Ω/□;
7. 正反向电流源修正测量电阻误差
8. 恒流源:电流量程为:DC100mA-1A;
9. 比较器判断灯直接显示,勿需查看屏幕,作业效率得以提高。3档分选功能:超上限,合格,超下限,可对被测件进行HI/LOW判断,可直接在LCD使用标志显示;也可通过USB接口、RS232接口输出更为详细的分选结果。
10. 测试模式:可连接电脑测试、也可不连接电脑单机测试。
11. 软件功能(选配):软件可记录、保存、各点的测试数据;可供用户对数据进行各种数据分
析。
12.显示语言 英文/中文
13.供电模式110v/220v
功能与场景适配
需求场景关键功能配置参考依据
现场快速检测便携式设计(重量<10kg)、锂电池续航>4小时、IP54防护等级
强电磁干扰环境抗工频干扰技术、自动滤波功能
高精度诊断四线制测量(消除引线误差)、温度自动换算(校正至20℃标准值)
数据管理需求存储历史数据、蓝牙/USB导出、PC端分析软件
典型应用场景
材料研究:半导体材料(如硅、砷化镓)、绝缘材料(云母、四氟材料)的电阻率随温度变化分析。
工业检测:耐火材料、碳素制品的高温导电性能评估
测量原理与方法:
四探针法:
最主流、最推荐的碳素材料块体/薄膜测试方法。
优点: 有效消除接触电阻和引线电阻的影响,测量精度高,尤其适合中等电阻率材料(碳素材料大多在此范围)。
缺点: 需要样品表面平整,探针间距需精确(或已知),边缘效应需修正(尤其是小样品)。
类型: 直线四探针、方形四探针(范德堡法,适合不规则薄片)。
两电极法 + 四线制:
在样品两端施加电流电极,在更内侧测量电压电极。
优点: 接线相对简单,可通过四线制消除引线电阻影响。
缺点: 电流分布不如四探针均匀,接触电阻仍可能对电压测量点有影响(尽管四线制已大幅降低),精度通常低于四探针法。适用于电阻率较高或较低,或形状受限的样品。
非接触法(涡流法):
优点: 无损,无需接触样品,速度快,适合在线或快速筛查。
缺点: 测量精度通常低于接触法(尤其对薄层或复杂形状),需要校准标准样品,测量的是“等效电阻率",受材料磁导率、厚度、表面状况影响较大。更适合均匀导体(如金属箔)。
阻抗分析法:
施加交流信号,测量复数阻抗。
优点: 可以区分材料的电阻分量和电容/电感分量(对某些复合碳材料有用),可选择合适频率避免极化效应。
缺点: 仪器更复杂,数据分析更复杂,主要用于研究而非单纯电阻率测量。
使用条件
①环境温度: 0~40℃
②相对温度:≤70%
③供电电流:交流 220V±10%50Hz
四探针电阻测定仪在半导体、光伏、材料科学等领域应用广泛,核心优势在于高精度和非破坏性测量。下面我为你梳理了它的主要应用场景:
一、半导体制造与研发
- 晶圆检测:用于测量硅、锗等半导体材料的电阻率、载流子浓度及掺杂类型,确保外延片、离子注入片等工艺质量。
- 工艺监控:通过温度依赖性研究分析材料电学性能变化,支持工艺优化。
二、光伏行业
- 太阳能电池测试:检测单晶硅、多晶硅、钙钛矿等电池薄膜的方阻分布,优化材料制备工艺。
- 导电膜评估:适用于ITO/AZO等液晶面板导电薄膜的电阻率测量。
三、材料科学研究
- 薄膜材料分析:测量金属膜、氧化物薄膜(如氧化铝、氮化硅)及半导体薄膜的电阻率,评估导电性能。
- 纳米材料测试:对石墨烯、碳纳米管等微纳米金属烧结体进行高精度测量,避免接触电阻干扰。
四、工业检测与质量控制
- 导电材料检测:用于合金、陶瓷等导电材料的电阻率测试,支持大尺寸样品直接测量。
- 微电子器件制备:快速检测器件的电学性能,确保产品质量。
五、高温环境测试
- 高温电阻率测量:集成高温炉体(最高800℃)与真空/气氛控制系统,研究硅晶圆在扩散工艺中的电阻率动态变化。
六、其他领域
- 功能材料研究:适用于热电材料、纳米线、导电纤维、复合材料等新型材料的电阻率测量。
- 半导体工艺检测:用于金属化、离子注入、扩散层等工艺的电阻率测试。
四探针法通过分离电流和电压电极,显著降低了测量误差,使其成为半导体、纳米材料及工业检测中的标准技术。




