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双电测电四探针方阻电阻率测试仪是一种专业用于测量材料表面电阻的精密工具。该测试仪器在电子制造、半导体行业、研究和教学等领域有着广泛的应用。
BEST-300c系列四探针方阻测试仪是运用四探针原理测量方块电阻的专用仪器,电阻率和电导率同时显示。仪器测试范围0.0001mΩ~10.0000MΩ,最小分辨率0.1uΩ,电阻的测量精度为±0.01%rdg.±0.001%f.s,方阻的测量精度为±2%rdg.±0.01%f.s,可用于测试半导体、金属涂层以及导电薄膜等材料的电阻和电阻率。仪器具有高速的测试线异常检测功能和极短的测量周期,能确保每次做出高速可靠的分选。仪器可自由配置成多档分选,外部控制接口可配置成NPN/PNP。适合于各种信号接口的自动产线。
BEST-300c系列四探针方阻测试仪使用开尔文测试夹直接测试电阻器直流电阻;使用四探针治具测试片状或块状半导体材料、金属涂层以及导电薄膜等材料的电阻和电阻率;双电测原理,提高精度和稳定性;测试探头直排和矩形可选,标配RS232/485、LAN、Handler接口,可搭配上位机软件查看和记录测试数据。
参数
1. 便于查看的显示/直观的操作性:高亮度、超清晰4.3寸彩色LCD显示;操作易学,直观使用;
2. 基本设置操作简单,方阻、电阻、电阻率、电导率和分选结果;多种参数同时显示。
3. 精度高:电阻基本准确度: 0.01%;
方阻基本准确度:1%;
电阻率基本准确度:1%
4. 整机测量相对误差:≤±1%;整机测量标准不确定度:≤±1%
5. 四位半显示读数;十量程自动或手动测试;20mΩ/200mΩ/2000mΩ/20Ω/200Ω/2000Ω/20kΩ/200kΩ/2000ΚΩ/10ΜΩ 10档分选;实现HIGH/IN/LOW分选
6. 测量范围宽: 电阻:10-7Ω~10+8Ω ;方阻:10-7Ω/□~10+8Ω/□;
7. 显示语言 英文/中文
8. 恒流源:电流量程为:DC100mA-1A;
9.供电模式110v/220v
10.软件功能(选配):软件可记录、保存、各点的测试数据;可供用户对数据进行各种数据分 析。
11.测试模式:可连接电脑测试、也可不连接电脑单机测试。
12. 自动进行电流换向,并进行正反向电流下的电阻率(或方块电阻)测量,显示平均值.测薄片时,可自动进行厚度修正。
13. 双电测测试模式,测量精度高、稳定性好.
14. 具备温度补偿功能,修正被测材料温漂带来的测试结果偏差。
15. 比较器判断灯直接显示,勿需查看屏幕,作业效率得以提高。3档分选功能:超上限,合格,超下限,可对被测件进行HI/LOW判断,可直接在LCD使用标志显示;也可通过USB接口、RS232接口输出更为详细的分选结果。
特点:
●电阻 ⾼精度:0.01%, 小分辨率0.1uΩ;
●方电阻精度:1%, 小分辨率:0.1uΩ;
●双电测原理,提⾼精度和稳定性;
●测试探头直排和矩形可选;
●标配RS232、LAN、IO、通讯接⼝;
●可配戴软件查看和记录测试数据;
核心选型要素
测量原理与精度
三电极法:符合 GB/T 10518-2006 标准,适合绝缘材料高温电阻率测试。
四探针法:适用于薄膜类材料,可测方块电阻和电阻率,支持温度-电阻曲线分析。
电阻范围:至少覆盖 10~101Ω,高阻值段(>1012Ω)误差需≤±20%。
样品兼容性
夹具要求:薄膜样品直径应≥100mm(不足需定制电极)。
测试方式:表面电阻与体积电阻需分开测量,且必须先测表面电阻。
推荐对比
温度范围 测量原理 关键优势 适用标准
-160℃~500℃ 三电极法 支持介质损耗/介电常数测试,控温精度±0.5℃ GB/T 1409、ASTM D150
高温真空/气氛环境 三环电极法 铂导线防信号衰减,触摸屏操作便捷 GB/T 10518、ASTM
高温箱集成 四探针法 自动绘制温度-电阻率曲线,适合导电薄膜分析 半导体材料标准
未明确高温范围11 通用法 触控操作,支持固体/液体/薄膜, GB/T 1410、ASTM D25711
操作注意事项
试样预处理:确保薄膜表面平整、无损伤,避免杂质干扰。
环境控制:多数仪器工作环境为0℃~40℃,高温测试需外接温控设备。
数据校准:定期校验仪器,高阻值(>1012Ω)段需重点验证精度。
多功能/程控型测试仪
宽范围覆盖
绝缘电阻:100kΩ–99GΩ(交直流耐压一体机,支持多档编程);

电压输出:0.01kV–6kV,适配不同绝缘等级需求。
高精度能力
部分设备在2500V档位可测 100GΩ,5000V档位达 200GΩ(分辨率0.1MΩ)。
功能与场景适配
需求场景 关键功能配置 参考依据
现场快速检测 便携式设计(重量<10kg)、锂电池续航>4小时、IP54防护等级
强电磁干扰环境 抗工频干扰技术、自动滤波功能
高精度诊断 四线制测量(消除引线误差)、温度自动换算(校正至20℃标准值)
数据管理需求 存储历史数据、蓝牙/USB导出、PC端分析软件
典型应用场景
材料研究:半导体材料(如硅、砷化镓)、绝缘材料(云母、四氟材料)的电阻率随温度变化分析。
工业检测:耐火材料、碳素制品的高温导电性能评估
材料形态与样品类型:
块体/板材/棒材:通常采用四探针法或两电极法(结合四线制测量)。
薄膜/涂层: 常用四探针法(尤其范德堡法对不规则形状友好)、非接触涡流法(无损)、或专用薄膜电阻测试夹具。
粉末/颗粒: 需压制成标准尺寸的片状或棒状样品,再用块体方法测量。需考虑压制密度对电阻率的影响。
纤维/丝束: 需专用夹具夹持,常用两电极法(四线制) 或改进的四探针法。
复合材料: 取决于基体和增强相的性质、分布。方法选择需谨慎,可能需结合多种方法或定制夹具。
两电极法 + 四线制:
在样品两端施加电流电极,在更内侧测量电压电极。
优点: 接线相对简单,可通过四线制消除引线电阻影响。
缺点: 电流分布不如四探针均匀,接触电阻仍可能对电压测量点有影响(尽管四线制已大幅降低),精度通常低于四探针法。适用于电阻率较高或较低,或形状受限的样品。

仪器核心功能与性能:
信号源: 精确可控的恒流源(范围、精度、稳定性)或恒压源。
电压表: 高输入阻抗、高精度、高分辨率(尤其测量低电压时)。
测量精度与分辨率: 根据应用需求确定(研发高精度 vs 生产现场控制)。
自动化程度: 手动操作仪器 vs 带计算机接口、自动扫描、数据存储/处理功能的仪器。
核心挑战与测量原理
测量目标:
核心是评估磁芯材料在高频下的涡流损耗特性。
通常不直接测量体电阻率(ρ)(因环形闭合结构难以施加贯穿电流),而是测量表面两点之间的等效电阻,或者通过标准化方法获得等效电阻率或品质因数(Q)来间接反映涡流损耗。
常用指标:电阻(R)(单位:Ω)或等效电阻率(ρ_eq)(单位:Ω·m)。
标准方法:两点加压,四点测量(改进的四线法)
电极布置:在磁环外圆表面上,沿环的周向(垂直于轴向/垂直于环面方向) 等间距布置四个点接触电极。
外侧两个电极: 施加恒定电流 (I)。电流沿环形磁芯圆周方向流动(模拟高频磁场感应的涡流路径)。
内侧两个电极: 测量这两点之间的电压降 (V)。
原理: 测量电流 (I) 流过磁环周向路径时产生的电压降 (V),利用 ?欧姆定律 (R = V/I) 计算得到?两点间的等效电阻 (R)。
消除接触电阻: 四点法(分离电流施加和电压测量电极)有效消除了?接触电阻?和?引线电阻?对电压测量的影响,确保测量的是磁芯材料本身路径的电阻。
等效电阻率计算: 若需要等效电阻率 (ρ_eq),需要知道磁环的几何尺寸(平均周长 L,横截面积 A)。
公式:ρ_eq = (R * A) / L
L: 磁环的平均周长(π * 平均直径)。
A: 磁环的横截面积((外径 - 内径) / 2 * 高度)。
说明: 这里计算的 ρ_eq 是等效值,代表材料在该特定电流路径(周向)上的电阻特性,与传统体电阻率物理意义不相同,但?是衡量涡流损耗的关键参数。
电阻率范围:
碳素材料电阻率范围很宽(从高导电石墨烯到绝缘碳纤维都有可能)。仪器需覆盖你的目标材料范围(如从 10^-6 Ω·m 到 10^2 Ω·m 甚至更高)。
高精度测量低电阻率材料(如高定向热解石墨)需要微欧表级别的电流源和纳伏表级别的电压表。
电流类型:
直流: 简单直接。需注意热电势和可能的极化效应(对某些材料)。
交流: 可消除热电势和极化效应影响,特别适合粉末、多孔材料或存在界面效应的复合材料。频率选择很重要。
安全与可靠性
安全防护
必须配备过压/过流保护、自动放电功能(测试后释放绕组储能);
高压档位需有声光报警提示(如UT501的电压符号显示与红灯警示)。
环境适应性
工作温度:-10℃–50℃,湿度≤85%RH(避免结露影响精度);
防尘防摔设计(户外作业选IP65防护)。
四探针电阻测试仪主要用于半导体材料、导电薄膜及粉末材料的电阻率、方块电阻和电导率测量,广泛应用于科研、光伏、电池、电子制造等领域。
核心应用领域
- 半导体与光伏测量硅单晶、锗单晶、硅片等半导体材料的电阻率。用于太阳能电池(单晶硅、多晶硅、钙钛矿)的电性能检测。
- 电池与能源测试锂离子电池正极、负极材料的电阻率,评估电极浆料导电性。测量导电添加剂粉末(如炭黑、金属纳米颗粒)的固有导电性能。
- 电子制造与材料研发测试ITO导电箔膜、导电胶、导电油墨等薄膜材料的方块电阻。评估金属粉末(如铁粉、铜粉)的电阻率,预测烧结体导电性。
- 科研与高校用于物理、化学、材料科学等领域的基础研究和应用研究。
技术特点
- 高精度:测量范围广(电阻率0.0001-19000Ω·cm,方块电阻0.001-1900Ω/□)。
- 自动化:支持自动量程切换、数据存储和分析。
- 适用性广:适配多种样品形态,包括轴向与断面测量。





