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4145B 半导体参数分析仪

供应商:深圳市嘉惠捷科技有限公司
品牌:Agilent/安捷伦
型号:4145B
产地及成色:进口二手
更新时间:2026-03-31 11:36:10
浏览次数:30
产品价格: 面议
供应商联系方式:13602653900
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一、产品概述

品牌型号:Agilent (HP) 4145B 半导体参数分析仪

诞生背景:由惠普(HP)研发,后归安捷伦(Agilent),是 80-90 年代半导体实验室的标准 IV 测试设备

核心定位:4 通道高精度源测量单元(SMU)+ 2 通道辅助电压源(Vs)+ 2 通道电压监测(Vm)

核心功能:全自动直流(DC)特性分析,绘制 I-V、C-V(选配)曲线,提取器件参数

物理形态:台式机,内置 CRT 显示器与软驱,支持 GPIB(HP-IB)远程控制

二、产品特点

1、飞安级超高精度

50fA 电流分辨率,精准捕捉晶体管漏电流、二极管反向漏电流等微弱信号

低噪声、高稳定度,专为亚微安级、亚毫伏级半导体特性测试设计

2、4 通道 SMU 全功能表征

4 个独立 SMU,可同时测试三端器件(BJT/MOSFET)甚至四端器件(IGBT、晶闸管)

无需反复换线,自动切换源 / 测模式,一次性完成输出特性、转移特性、击穿特性等全曲线测试

3、四象限源载能力

SMU 可输出 / 吸收电流,支持正负压、正负流

完美适配有源负载、光伏电池、双向器件的复杂工况模拟

4、独立式一体机

内置 CRT 显示器与运算单元,不连电脑也能独立工作、实时出图

面板直接操作、编程、存曲线,实验室现场调试极高效

1、分立器件研发与表征(核心)

MOSFET / IGBT:Vth、gm、Ids-Vds、击穿电压 BVdss、栅极漏电流

BJT 晶体管:hFE 电流增益、击穿电压 Vceo、Vebo、饱和压降 Vce (sat)

二极管 / 晶闸管:正向导通、反向漏流、恢复特性、击穿电压

2、集成电路与晶圆测试

晶圆级器件参数提取(Device Parameter Extraction)

工艺监控:离子注入浓度、薄层电阻(Sheet Resistance)、接触电阻

存储器、模拟 IC 的单元器件可靠性与漏电测试

3、失效分析(FA)

芯片失效点漏电定位、击穿特性异常分析

ESD 损伤、闩锁效应(Latch-up)、热载流子退化测试