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一、产品概述
6517A 是 纯测量型静电计（无四象限源出功能），但 内置独立高压源，集 电流 (I)、电压 (V)、电阻 (R)、电荷 (Q) 四功能于一体。相比 6514，它最大的优势是 自带 ±1000V 激励，无需外接高压电源，即可直接进行 高阻 / 绝缘 / 漏电流 的 I-V 扫描测试，是半导体、材料与元器件可靠性测试的 “全能型” 低电平测量方案。
核心定位：带内置 ±1kV 高压源的高精度静电计 / 高阻表
测量功能：电流、电压、电阻、电荷（四合一）
显示位数：5½ 位
电流测量：1fA ~ ±20mA（飞安级至毫安级）
电压测量：±10μV ~ ±200V
电阻测量：50Ω ~ 10¹⁶Ω（10PΩ）（超高阻）
电荷测量：10fC ~ 2μC（飞库伦级）
内置电压源：±1kV（1000V）可编程，带扫描功能
核心优势：0.75fA 超低噪声、200TΩ 超高输入阻抗、内置高压源、电压反转法测高阻
二、产品特点
1. 极致弱信号测量性能（与 6514 同级）
亚飞安级噪声：电流噪声 0.75fA p-p，可稳定分辨 fA（10⁻¹⁵A） 级电流。
超高输入阻抗：电压测量端 200TΩ（200 万亿欧），输入偏置电流 <3fA，几乎不影响被测电路。
超低电压负载：电流测量时输入端压降 <20μV，避免负载效应导致测量失真。
三同轴（Triax）+ Guard 屏蔽：标配三同轴接口与保护屏蔽技术，彻底消除线缆与夹具漏流。
2. 内置 ±1kV 高压源（区别于 6514 的核心功能）
±1000V 可编程输出：内置高精度、带限流保护的高压源，可直接输出 0~±1000V 电压。
电压扫描（Sweep）功能：支持线性 / 阶梯电压扫描，自动完成 I-V 曲线测试，适用于绝缘击穿、电压系数分析。
电压反转法（Voltage Reversal）：独特的高阻测量算法，通过极性反转抵消本底电流，将电阻测量上限推至 10¹⁶Ω。
安全可靠：内置过压、过流保护，防止损坏 DUT（被测件）。
3. 高速与自动化能力
高速采集：最高 125 读数 / 秒，满足实验室研发与产线高速分选。
自动校准：内置自动归零（Auto Zero）与偏移抵消，抑制温漂，保证长期稳定性。
丰富接口：标配 GPIB (IEEE-488)、RS-232、数字 I/O，支持 SCPI 指令，兼容 LabVIEW、Python 自动化平台。
可选扫描卡：支持插入式多路扫描卡，实现多通道、多器件自动测试。
1. 半导体器件与晶圆测试
器件漏电流测试：MOSFET、IGBT、FinFET 的 栅极漏电流、亚阈值漏电、反向漏电（fA 级）。
光电探测器：光电二极管、APD、CMOS 图像传感器的 暗电流（Dark Current） 与光电流测试。
高压功率器件：IGBT、晶闸管的 高温反向漏电流（HTRB）、栅氧化层完整性（GOI）。
非易失性存储器（NVM）：Flash、MRAM 的 电荷保持力、隧穿电流 表征。
2. 材料科学与高阻特性（最大优势场景）
绝缘 / 高阻材料：陶瓷、聚合物、薄膜、玻璃、云母的 体电阻率（ρv）、表面电阻率（ρs） 测量（高达 10¹⁶Ω）。
压电 / 铁电材料：PZT、铁电薄膜的 漏电流、极化反转、介电常数 高压测试。
二维纳米材料：石墨烯、MoS₂ 的本征导电特性、迁移率与高阻态研究。
电化学材料：固态电池电解质、离子导体的 极低离子电导率 表征。
3. 元器件可靠性与质量控制
多层陶瓷电容（MLCC）：绝缘电阻（IR）、漏电流、电压系数 高精度分选与寿命测试。
高值电阻器：MΩ~PΩ 级高阻、压敏 / 热敏电阻的 高压稳定性、电压系数 测试。
连接器 / PCB / 线缆：触点绝缘电阻、高压漏电流、表面绝缘阻抗（SIR） 测试。